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NXTR-1A/1B薄膜方块电阻测试仪
产品名称:NXTR-1A/1B薄膜方块电阻测试仪
产品型号:NXTR-1A/1B
品牌:
产品数量:
产品单价:面议
日期:2018-03-12
NXTR-1A/1B薄膜方块电阻测试仪的详细资料

薄膜方块电阻测试仪
型号:NXTR-1A/1B
货号:ZH8860
:
薄膜方块电阻测试仪主要用来测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻。它由电气测量部份(简称:主机)、测试架、四探针头及测量软件组成
使用范围
适用于西门子法、硅烷法等生产多晶硅料的企业
适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研、高等院校及需要量程测量电阻率的企业
产品特点
可测方块电阻:适合检测硅芯,检磷棒,检硼棒,籽晶等圆柱晶体硅
适用于西门子法、硅烷法等生产多晶硅料的企业
适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研、高等院校及需要量程测量电阻率的企业
测试量程大,电阻率测试仪
主机配置了“小游移四探针头”了一起数据的准确性
仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响,因此测试精度提高
测量精度高,除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能
特的设计能消除测量引线和接触电阻产生的误差,   测量的和宽的量程范围
双数字表结构使测量,操作简便
具有的测试数据查询及打印功能
测量系统可实现自动换向测量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分变化率等
四探针头采用进口红宝石轴套导向结构,使探针的游移率减小,测量重复性提高
采用进口元器件,留有大的安系数,提高了测试仪的性和使用寿命
测量电流采用高度稳定的恒流源(万分之五精度),不受气候条件的影响
具有正测反测的功能,测试结果的准确性
具有抗强磁场和抗高频设备的性能
测量范围
10-5 ------1.9*105  Ω?cm
10-4------1.9*104  Ω?cm
可测硅棒尺寸: zui大长度300mm;直径20mm(按用户要求改)
输出电流:DC0.001-100mA  五档连续可调   测量范围:0-199.99mV
灵 敏 度: 10μA
输入阻抗:1000ΩM
电阻测量误差:档均低于±0.05%
供电电源:AC 220V ±10% 50/60Hz.
推荐使用环境:温度:23±2℃   相对温度:≤65%
 www.ghitest.com
www.centrwin.com


 

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